2024年11月29日，得朋电子（DEPEND）为您播报半导体市场“一周芯闻”。半导体市场迎来技术革新与政策支持，日本投资2纳米芯片，SK海力士量产321层NAND，力积电转型3D AI代工，预计2026年实现爆发性成长，满足大型客户需求。
1. 日本政府投资13亿美元助力Rapidus 2027年2纳米芯片生产
SemiMedia于11月25日报道称，日本政府计划在2025财年向芯片制造商Rapidus投资2000亿日元（约13亿美元），以支持其2027年量产2纳米芯片的目标。该投资旨在吸引更多私营资金，并增强政府在公司治理中的作用。2纳米芯片生产预计需投资5万亿日元，政府承诺提供9200亿日元补贴，但仍面临资金缺口。为解决资金问题，政府计划通过国家机构提供债务担保和投资，具体细节将在新经济刺激计划中公布。日本政府希望通过多元化融资和积极的公司治理，使Rapidus成为国内半导体产业复兴的引擎，并为未来的技术竞争力打下基础。
2. 3Q24 NAND Flash营收增长4.8%，企业级SSD需求强劲但消费订单未见复苏
TrendForce集邦咨询最新调查显示，2024年第三季度NAND Flash产业出货量下降2%，但ASP上涨7%，推动整体营收增至176亿美元，环比增长4.8%。
第三季度NAND Flash价格走势分化，企业级SSD需求强劲，价格环比增长近15%，而消费级SSD订单需求下降。中国手机品牌低库存策略导致智能手机用产品订单减少，价格持平。Wafer产品受零售市场需求疲软影响，价格下跌。
预计第四季度NAND Flash产业将面临挑战，企业级SSD价格可能持平，其他产品价格下跌，消费品牌商年底前降低库存，订单减少，预计整体营收环比下降近10%。
3. SK海力士量产全球首款321层NAND闪存，提升性能和效率
SK海力士于11月26日宣布，已开始量产全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存，预计于2025年上半年向客户供货。这款产品标志着堆叠技术和制造效率的重大进步，旨在满足人工智能应用对低功耗、高性能存储的需求。与前代238层NAND相比，321层版本的数据传输速度提高了12%，读取性能提高了13%，数据读取能效提高了10%以上。
SK海力士表示，这一里程碑事件预示着行业进入300层以上NAND闪存时代，增强了公司在AI数据中心SSD和边缘AI市场的竞争优势。
4. ST预计2024年MCU销量下降，但显现复苏迹象
11月27日据报道，意法半导体（ST）在资本市场日表示，由于2022年和2023年签订的不可取消、不可重新安排（NCNR）合同导致客户库存过多，2024年前9个月MCU销售额大幅下降。2024年前三季度，ST的MCU销售额约为25.8亿美元，较2023年同期的44亿美元下降41.3%。
尽管如此，ST已观察到复苏迹象，2024年第三季度MCU的订单量已超过出货量。首席执行官Jean-Marc Chery预计，2025年将是过渡年，库存调整可能持续至2025年上半年。
5. Yole预测，到2029年，每辆车的半导体含量将达到1,000 美元
Yole Group 最新预计，到 2029 年，汽车半导体市场将增长至 1,000 亿美元，每辆车的半导体含量将达到 1,000 美元。高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和安全应用预计将增长最快，2023 年至 2029 年复合年增长率 (CAGR) 为 14%。电气化是市场扩张的第二大驱动力，预计将增长同期复合年增长率超过13%。尽管欧洲电气化步伐放缓，但中国市场依然高度活跃，保持了关键增长引擎的地位。半导体器件市场仍预计将实现复合年增长率11%的显着增长，到2029年将达到近1000亿美元。
6. 力积电转型3D AI代工，预计2026年实现爆发性成长
力积电董事长黄崇仁11月28日表示，公司铜锣厂转型，重点发展3D AI代工服务，包括中间层和3D晶圆堆叠技术，以满足大型客户需求。面对晶圆代工成熟制程产能扩增带来的市场竞争，力积电已获得客户认证并开始小量出货高容值中间层产品。公司与AMD等一线逻辑代工业者合作，开发四层DRAM晶圆的WoW模组，以满足下游终端客户新产品进度。
黄崇仁强调，力积电整合逻辑、存储器成熟制程技术与设备，建置具有成本优势的3D AI代工平台。由于中间层与晶圆堆叠产品附加值高，且生产设备投资较低，力积电已部署初期数千片新产能，并可根据客户需求快速扩充产线。随着与印度塔塔集团合作案推进，力积电的FAB IP和3D AI代工业务步入正轨，预计2026年将迎来爆发性成长，成为成熟制程产业转型成功的新标杆。