2025年02月24日，得朋电子（DEPEND）与您一同回顾半导体市场“一周芯闻”。松下因成本上升调整低电压导电聚合物钽电容器价格；NAND需求反弹，三星停止小容量MLC生产，导致MLC eMMC价格上升；戴尔与xAI达成超50亿美元AI服务器供货协议。
1. 松下调整导电聚合物钽电容器价格
松下工业株式会社于2025年2月18日向尊敬的客户发出了一份价格调整通知，针对特定低电压型号的导电聚合物钽电容器（POSCAP）。
松下表示，继续以当前价格进行这些部件的业务已经变得困难，这些部件还需要对生产设备进行更新投资。因此，公司请求客户在2025年4月1日之前停止使用这些部件，或者用其他型号替换它们。如果客户需要在2025年4月1日之后继续使用这些部件，松下希望客户能够接受附录中列出的价格调整。
2. 内存现货价格更新：NAND需求反弹，三星停止小容量MLC生产
根据TrendForce的最新报告，2025年2月19日的内存现货价格显示出以下趋势：
DRAM现货价格：
·DDR5 DRAM价格呈现上涨趋势，主要由于SK海力士的超频DRAM芯片供应短缺，这些芯片在游戏笔记本市场中需求旺盛。
·DDR4 DRAM价格则因供应过剩而保持疲软，市场整体价格相对较低。
·预计2025年上半年，DRAM价格将继续受到市场需求低迷和供应过剩的影响，尤其是服务器DRAM价格可能进一步下跌。
NAND Flash现货价格：
·NAND闪存需求在春节后出现反弹，尤其是小容量MLC产品，由于三星停止生产这些产品，导致MLC eMMC价格上升。
·大容量NAND晶片的现货价格也在上涨，原因是市场低价库存逐渐被消化，但买家仍保持谨慎。
3. 美光将为英伟达开始量产12层堆叠HBM
2月17日报道，美光即将为英伟达开始量产12层堆叠的高带宽存储器（HBM）。美光去年9月完成了该产品的研发并向客户展示了样品。美光首席财务官马克·墨菲表示，与竞争对手的8层堆叠产品相比，新产品功耗降低了20%，容量增加了50%。
美光预计在今年下半年将大部分HBM生产集中在12层堆叠上。HBM技术对于使用GPU的高性能计算和AI应用至关重要，因为它提高了数据处理速度和带宽。三星电子在这方面落后，目前仍处于8层堆叠产品的早期生产阶段，尚未完成12层堆叠产品的测试。与此同时，SK海力士正在加速开发HBM4以满足英伟达的要求，并计划在年内完成。美光还宣布，预计下一代HBM4将于明年出货。
4. 多家模拟芯片公司业绩下滑，业界期待今年复苏
近期，亚德诺半导体（ADI）等多家模拟芯片公司公布财报，显示营收和净利润下降，表明市场需求未恢复。ADI第一季度营收和净利润分别下降4%和18%。尽管消费品业务增长19%，但工业和汽车业务营收下降。
全球半导体周期下行影响库存调整，中国市场尤其是汽车市场的需求成为增长动力。对于2025年市场复苏，业界看法不一，有的乐观预期需求复苏，有的认为复苏尚早。企业也在采取本地化生产和融入AI技术等战略以促进增长。
5. 戴尔传供货xAI，纬创、鸿海、英业达、神达可望受惠
据彭博社报道，戴尔接近与马斯克旗下AI公司xAI达成一项价值超50亿美元的AI服务器供货协议，预计今年交付搭载英伟达GB200芯片的服务器。
纬创为戴尔AI服务器主板（L6）的主要供应商，同时协助系统组装，占比最大；鸿海和英业达分别是戴尔第二、第三大服务器代工厂。纬创近期因AI服务器需求明确，正在扩产，并拿下企业客户整机柜（L11）订单，有望推动2025年业绩增长。
6. 英特尔18A工艺领先，台积电N2面临竞争
TrendForce 2月19日报道，英特尔首席工程计划经理Joseph Bonetti在LinkedIn上表示，英特尔与台积电的合作是一个“糟糕的错误”，并强调英特尔18A工艺更具先进性。他指出，英特尔18A工艺即将完成，首款产品Panther Lake处理器将于2025年下半年量产，微软和亚马逊已确认成为早期采用者。
Bonetti还提到，英特尔18A工艺采用PowerVia背面供电技术，性能优于台积电N2工艺。尽管台积电的N2工艺在晶体管密度上略占优势，但英特尔18A在性能和功耗表现上更具竞争力。此外，英特尔已提前锁定ASML的高数值孔径EUV工具产能，为未来工艺发展奠定基础。