2025年12月29日，得朋电子（DEPEND）与您一同回顾半导体市场“一周芯闻”。半导体产业链正经历供需博弈与技术升级的双重考验，从汽车芯片短缺到有色金属、内存价格波动，行业在紧张中寻求产能重构与本土化突破。
1. 中国也缺汽车芯片，北京：安世半导体内部已协商
12月24日，中央社报道，安世半导体控制权纠纷已波及中国汽车供应链。商务部证实，闻泰科技与荷兰总部负责人上周完成首轮协商，并同意继续保持沟通；中方敦促荷方撤销行政干预，为恢复全球半导体供应链创造有利条件。由于荷兰总部仍暂停对华晶圆供应，安世中国已锁定鼎泰匠芯等本土晶圆厂2026年IGBT产能，并加速验证车规级12英寸晶圆以保障生产。短缺已导致本田、广汽本田及蔚来等车企减产或减配，理想汽车更预警2026年汽车业内存芯片满足率或不足50%。
2. 铜价创高，线缆业报价喊涨
12月26日，经济日报报道，伦敦铜价连三天创新高，突破每公吨1.2万美元，AI服务器与数据中心建设带动工业铜需求大增。国际精炼铜附加费（Premium）从2024年的每公吨不到90美元涨至350美元，国内线缆业包括华新、华荣等大厂明年报价全面上调约10%，因成本上涨至少需在铜价基础上再加3%。
全球大型铜矿场如印尼Grasberg、刚果Kamoa-Kakula、智利Codelco等因故停产，铜供给缺口扩大。线缆业者表示，铜价上涨时，多数线缆厂有望获得库存利益，营收与毛利均会上升，且在AI基建推动下，铜价长期前景向好。
3. HBM重塑DRAM战局，SK海力士龙头地位仍稳固
12月23日，Counterpoint 数据显示，2025年Q3全球DRAM市场总值因HBM需求激增而环比大幅攀升。SK海力士虽仍居整体DRAM首位，但份额略降；三星凭HBM3E放量份额提升，HBM领域更超越美光跃居第二。三大厂持续将产能由传统DRAM转往高带宽产品，供应链紧张加剧，成熟节点厂商南亚科等因此获得喘息空间。行业普遍认为，先进与常规DRAM需求分化将倒逼全球内存制造端加速扩产。
4. DDR4现货价倍增，三星决定暂缓停产
12月25日，SemiMedia报道，三星电子已推迟原定的DDR4产线关闭计划。16GB DDR4模组现货价年内或倍增，创历史高点，且公司已与客户签订不可撤销、不可退货（NCNR）长约，确保2026年前稳定利润。新增产量将优先满足服务器与工业订单，消费级PC/DIY市场难获缓解，行业预计消费内存供应紧张将持续至2026年。
5. 成熟节点供应紧张，中芯国际上调部分晶圆价格约10%
12月23日，SemiMedia报道，受成熟制程需求稳健、原材料及能源成本上涨影响，中芯国际（SMIC）对8英寸部分产能提价约10%。全球多家大厂缩减成熟节点产线并转向先进制程，叠加服务器等应用需求，成熟节点产能趋紧。中芯2025年前三季度营收与利润均保持增长，产线维持高利用率。行业人士表示，AI需求持续吸走供应链资源，成熟节点晶圆定价权正逐步回归，中芯调价被视为行业同步修正的一部分。
6. 云端ASIC封测需求爆发，力成、欣铨成最大赢家
12月26日，经济日报报道，Google、Meta等云巨头加速自研ASIC，但台积电CoWoS产能满载，Meta等转向寻找后段弹性供应链。力成凭深厚内存封装经验切入ASIC先进封装，业界传独拿Meta ASIC封测大单，旗下晶兆成测试产线已满载；欣铨同步获国际大厂青睐，AI ASIC测试订单明年起显著贡献营收。