尽管终端市场需求持续低迷不振，存储芯片上游原厂铁了心要拉抬Flash价格，业界观察，近1个月来，NAND Flash现货价格持续小幅调升，8月涨幅约达5%，逐渐靠拢合约价。
国际存储大厂包括三星、SK海力士、美光等持续减产，TrendForce预估，2024年各厂减产策略仍将持续；随着消费性电子产品需求回升，2024年DRAM、NAND Flash需求位元将年增13％及16％。
中国台湾存储芯片厂如南亚科、旺宏、华邦电、群联、威刚、宜鼎等，有望同步受益。
业界人士指出，存储芯片第三季合约谈判已完成，DDR4合约价季减低个位数，DDR5合约价季增低个位数，而龙头厂之间无显著价差。
主要是龙头厂的1Ynm以上制程持续处现金流出下，各大厂减产幅度扩大，力守报价，以期营运止血，且积极去化库存下，库存水位自6月底的12～14周，进一步去化至9月底的10～12周。
展望第四季报价，业界人士预估，DRAM合约价将上涨5％，带动现货价上涨，且涨势将延续至2024年。
NAND部分，因三星先前下令暂停低价报价，国内模组厂也配合三星调涨报价，主流产品512Gb现货价在8月下旬，已从1.48美元，调升至1.62美元～1.65美元，涨幅约10％，其他大厂纷纷跟进，导致8月份NAND现货市场价格小幅上涨。
据CFM闪存市场报价显示，8月以来Flash Wafer价格持续回升，其中Flash Wafer 1Tb TLC在8月涨幅9.2%，Flash Wafer 512Gb TLC在8月涨幅9.1%，涨价已经开始由上游资源逐渐向下游成品传导。
业界人士预期，存储芯片厂库存在2024年第一季，将降至8周以下水准，大厂涨价态度于2023年下半年逐步转趋明确，预估DRAM及NAND合约价于2024年上半年，全面进入上升周期。
据TrendForce预估，2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，加上通用型服务器的资本支出，仍受到AI服务器排挤，而显得相对需求疲弱。
但有鉴于2023年基期已低，加上部分存储芯片产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13％及16％。
尽管需求位元有回升，2024年若要有效去化库存，并回到供需平衡状态，重点还是依赖供应商对于产能有所节制，若供应商产能控制得宜，存储芯片均价将有机会反弹。