据业内人士称，NAND闪存的现货价格继续上涨，而DRAM的定价趋势不太稳定。
资料来源:Digitimes
随着终端传统备货旺季进入尾声，内存11月现货价格的涨幅明显趋缓，但第4季上游NAND原厂释出产能持续减少，内存模组厂想逢低敲定大单却无法如愿。
尽管短期渠道市场出现库存积压的现象，NAND Flash Wafer涨势不减反增，主流512Gb现货价单月调涨约2成，站上2.6美元，持续朝向原厂损益平衡点关卡迈进。
随着市场行情先行指标的现货市场从第3季启动涨势，内存合约价第4季相继跟进调涨，除了移动内存受益于手机品牌厂年底回补库存，合约价季增约15~20%，随着PC与服务器平台进入更新迭代，DDR5渗透率日益提升，带动DDR5价格上涨双位数幅度、DDR4及DDR3的涨幅也优于原先预估的中个位数表现。
不过现货价部分，经过第3季逐月回暖调涨，下游渠道及内存模组厂在年底旺季接单分别在9~10月完成出货，市场预期内存价格看涨的期待心理，带动短期的库存回补需求大致告一段落，11月现货价涨幅已明显转趋疲弱。
受到国内消费降级的市场氛围，双十一等年度促销及零售市场买气均不如预期，欧美市场对于黑色星期五及圣诞备货需求也陆续出货近尾声，不过实质需求导致去库存化缓慢，导致终端渠道库存提高，尤其DRAM价格处于震荡调整期，有待2024年需求复苏迹象显现。
整体来看，大容量DRAM颗粒产品的涨幅较大，DDR4 16Gb（2Gx8）近月来平均涨幅约3.25%，DDR4 8Gb处于0.25~1.8%之间微幅调涨，尽管上游原厂已积极调降DDR4供给产出，但二手旧货市场仍有不少DDR4颗粒使用，整体DDR4市场库存也较高，拖累DDR4价格调涨不易，至于DDR3价格不涨反跌，库存调整持续进行中。
NAND Wafer价格持续受到上游原厂供应减产的影响驱动，内存模组业者透露，目前原厂对第4季Flash供应的态度就是拖延战术，原先曾在9月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格都无法达到满意的目标，虽然终端市场需求已进入淡季，但Flash现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态，加速Flash Wafer各产品全面调涨。
以现货市场来看，512Gb TLCC价格从半年前约1.4美元一路爬坡向上，目前11月底价格已达到2.6~2.7美元，原本价格一度跌破材料成本，如今正朝着原厂损益平衡的首要目标持续狂涨，根据业界估算，512Gb Flash价格要回到3.2~3.5美元，原厂才有望回到损益平衡点，短期内估计价格难再回头，但终端SSD价格仍难跟进上涨，导致进货价高于卖价的状况持续存在。
根据估计，各家原厂的减产效益在下半年陆续显现，亏损及库存正逐季缩小，不过各家合计亏损金额仍高达60亿美元，虽比第2季亏损80亿美元的幅度收敛，但NAND原厂将持续推动减产策略延续至2024年。
资料来源:WSTS
值得一提的是，根据WSTS 29日发布的最新半导体市场预测数据显示，明年半导体市场增长主要由内存市场推动，预计在2024年内存芯片市场规模有望飙升至1300亿美元，同比增长40%以上。