内存芯片市场的趋势终于开始转变。DRAM和NAND芯片主要供应商的减产帮助削减了客户持有的过剩库存。三星、美光、SK海力士、南亚等内存大厂一直在积极减少产量，并预计在可预见的未来，其DRAM和NAND的晶圆产量将“显着低于”2022年的水平。
今年第四财季，美光表示，与上一季度相比，Micron将DRAM的出货量提高了15%左右，而NAND的出货量飙升了40%。与去年同期相比，Micron的收入有所下降，但比上一季度增长了7%。该公司认为，预计2024年将是内存市场复苏的一年。
而针对近期涨价行情正从NAND蔓延至DRAM，内存芯片复苏升温，是否会触底反弹？南亚科技总经理李培瑛亦给出答案，三星则是通过公布Q3财季估值及对主要客户的半导体需求调查，亦指明2024年DRAM和NAND的供需关系。
触底反弹？三星估Q3获利优预期
根据三星11日公布的初步财报，第三季营运获利表现优于市场预期，内存芯片市场出现谷底反弹的早期迹象，激励这家韩国科技巨擘股价大涨近3％。
身为全球内存芯片和智能手机龙头，三星初估7到9月该季营运获利衰退至2.4兆韩元，虽远低于去年同期的10.85兆韩元，不过优于市场预估的2.1兆韩元。
Daol投资证券公司分析师Ko Yeongmin表示，“这结果优于预期，虽然芯片事业的情况没有太好…但内存价格跌势正在放缓，下跌力道已受到限制。”
虽然比去年同期大幅萎缩，但三星上季获利远高于第一季的6,400亿韩元和第二季的6,700亿韩元。该公司第一季获利创2009年以来最低纪录。
受累于内存芯片价格重跌以及库存价值削减，三星芯片事业在第一和第二季各自大亏4.58兆韩元与4.36兆韩元。
全球经济走下坡以及高利率的环境，多数消费者商品在经过疫情荣景后，需求转而呈现衰退，迫使芯片业者削减产量以挽救价格颓势。
分析师预料，三星第三季内存芯片事业亏损可能缩小至约3兆韩元，因为这家科技大厂聚焦于更有利润的高阶芯片，例如应用在人工智能的DRAM芯片，并持续减少较旧款芯片产量。
分析师提到，一些应用在科技设备的DRAM芯片价格在上季末开始反弹，用于资料储存的NAND Flash芯片价格可能最快于本季触底回升。
预计Q4 DRAM出货量&价格有望回升
南亚科技总经理李培瑛日前于法说会上也指出，市场需求已有所改善，第四季bit出货量将上涨，价格也有机会提高，亏损可望收敛。
李培瑛表示，第四季生产维持动态调降20%以内，预期随着市场朝DDR5转换，各家供应商投片较集中在DDR5，有助DDR4库存去化，第四季bit出货量估稍微增加，亏损也有机会收敛。
第四季价格方面，李培瑛指出，会比第三季更稳定，各家供应商都在想办法锁住DDR4跌势、甚至拉升价格，是否能成功要观察未来几周变化，目前DDR5价格已上涨，DDR4已有两家大厂压力减轻，持续跌价机率也不高，看好DDR4、DDR3价格可望翻涨。
至于明年第一季淡季，价格是否可能再走跌，李培瑛认为，以目前情况来看，淡旺季效应没那么大，就如第三季也未出现明显的季节性需求，主要还是整体经济情况的影响，预期明年第一季不会更糟。
展望明年市况，李培瑛认为，受益市场朝DDR5转换，有助去化各家供应商较多的DDR4、LPDDR4库存，第四季服务器市场有机会开始转佳，大陆手机市场积极度也增加，PC领域也有DDR5效应带动，整体而言正面看待。
明年DRAM和NAND供应将供不应求
据供应链内部人士透露，三星最近对其全球主要客户的半导体需求进行的调查显示，各领域客户对内存芯片库存的调整已经接近尾声。从2024年开始，部分地区将出现DRAM和NAND Flash的供应短缺。
该消息人士称，三星在2024年启动了半导体需求调查，并分析了全球主要客户的存储芯片库存现状。三星将根据调查结果决定是否继续减产，并将讨论减产规模。
调查结果表明，从2024年起，半导体行业将全面反弹。随着智能手机市场逐渐复苏，预计一些市场，尤其是中国市场，将出现DRAM和NAND芯片的供应短缺。
三星表示，越来越多的半导体公司已经完成了库存调整阶段，尤其是在与其最大客户苹果公司成功进行价格谈判之后。NAND业务的亏损预计将大幅减少。
在服务器DRAM业务方面，面向北美主要客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商正在扩大基础设施投资，以应对人工智能需求。