2024年04月22日，得朋电子（DEPEND）为您播报半导体市场“一周芯闻”。被动元件库存调整或将今年上半年结束；AI相关HPC产品仍是唯一增长动能；NAND Flash厂晶圆投片量提升保守；三星扩大外购DDR3和NOR Flash……
1. 被动元件库存调整或将今年上半年结束
4月18日，被动元件龙头国巨公布2024年第一季财报及后市展望。
国巨CEO王淡如表示，个人电脑、智能手机、消费电子等应用有复苏迹象，AI市况需求强劲，国巨具备完整产品线，也已准备好迎接强劲市况。
国巨特别强调，现阶段整体市场供需、全球通胀及国际局势等大环境的不确定性因素仍高，但预估客户端的库存调整将于上半年结束，第二季将会呈现低个位数的成长幅度。
2. AI相关HPC产品仍是唯一增长动能
今年半导体、晶圆代工、车用市场恐不如预期，仅AI独领风骚。
4月18日，台积电（TSMC）举办线上业绩说明会，首席执行官魏哲家下调半导体、晶圆代工及车用市场三大领域展望，震撼市场。
针对各项应用市况，魏哲家指出，高效能运算（HPC）与AI应用仍然强劲、手机稳健成长、PC复苏较慢、物联网（IoT）和消费性应用仍在调整，车用市场也在去库存。
3. NAND Flash厂晶圆投片量提升保守
三星电子本季在韩国平泽和我国西安NAND Flash快闪存储芯片生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然持谨慎态度，以免影响到NAND Flash的价格涨势。
报导指出，虽然三星在产能全开的情况下，NAND Flash快闪存储芯片的生产线单季晶圆投片量可超过200万片，但是，目前三星内部对第二到四季的单季晶圆投片量均设下了120万片的天花板，这代表着整体产能利用率只维持在50%左右。
市场预计，三星电子将在本月底的第一季财报电话会议上重申针对NAND Flash快闪存储芯片进行减产的立场。而在上次财报会议上，三星电子已经表示，主要客户仍存在NAND Flash库存水位仍高的问题，因此，延续高强度减产态势仍然有必要。
4. 三星扩大外购DDR3和NOR Flash
三星电子（Samsung Electronics）联席CEO庆桂显日前率领高层主管奔赴中国台湾，在短短两天一夜行程内，密集拜访了多家供应链厂商，传出首要任务是推广自家高带宽内存HBM并扩大外购成熟或利基型DDR3和NOR Flash。
据悉，三星为冲刺高带宽内存市占，规划集团今年高带宽内存产能要比去年大增近三倍，并于今年上半开始大量生产12层的第五代高带宽内存，以及使用32Gb颗粒的128GB DDR5 DRAM。
对于相对成熟的DDR4及DDR3等DRAM则选择维持在减产前的产能，甚至逐步淡出DDR3市场，扩大外购策略，有利于存储芯片产业的健康态势延续。
5. SK海力士与台积电携手开发HBM4芯片
4月19日，全球第二大存储芯片制造商韩国SK海力士（SK Hynix）表示，将与中国台湾半导体巨擘台积电合作生产用于AI技术的下一代高带宽内存HBM芯片。
SK海力士声称，将透过这项计划开发HBM4，即第6代HBM系列，预计从2026年开始量产。
