DRAM和NAND下游终端需求不及预期，24Q2价格或进入阶段性调整期
1. DRAM及NAND Flash产品概述
1.1. 存储产业概述
存储是半导体第二大细分市场，2022年/2021年/2020年全球存储市场规模为1555/1534/1175亿美元，占半导体规模的比例为28%/28%/27%。
图表 1：2020-2024E存储IC占集成电路和半导体比例
1.2. 产品分类
图表 2：半导体存储器细分产品划分
存储IC主要以DRAM与NAND Flash产品为主，市占比超过95%。智能手机、服务器、PC是其主要三大市场，DRAM在其中分别占39%、34%、13%的市场份额；NAND Flash分别占37%、18%、28%的市场份额。
1.3. 头部厂商
存储器芯片供应商由韩、美厂商主导。存储IC第一梯队厂商：Samsung, Micron, SK Hynix, Kioxia, WD, 南亚及华邦。观察市占率，在DRAM类目下，Samsung占据40%的份额，SK Hynix和Micron紧随其后，分别占据29%和22%的市场份额，这3家公司合计占比达30%以上，基本垄断了DRAM的市场。全球NAND Flash情况也与DRAM类似，依旧是Samsung领先市场，占据三成以上的份额。
在技术层面，三星电子、SK海力士和美光正致力于加大对于10nm级制程DRAM的研发投入，其中包括第四代(1α nm)和第五代 (1β nm) 版本，以生产高端内存产品如HBM、DDR5和低功耗LPDDR5等。
就DRAM三巨头的制程节点发展历程而言，在2016-2017年进入1X(16nm-19nm)阶段，2018-2019年处于1Y(14nm-16nm)阶段，而2020年则进入1Z(12nm-14nm)阶段。近三年来，它们持续朝着更先进的1α（约13nm）、1β（10nm-12nm）以及1γ（约10nm，1β的增强版）制程工艺技术迈进。相对于1α而言，1β在16Gbit的容量下，能效提高约15%、内存密度提升35%以上。
2. 供给端：DRAM与NAND Flash关键指数动态
2.1. 价格趋势
2023年9月底（23Q4），DRAM价格已触底反弹。截至2024年2月底，主要DRAM产品DDR4系列增长趋势明显。
图表 3：DDR4产品价格及趋势
进入2024年3月，由于终端需求动力不足，DRAM价格进入盘整期，涨价幅度有所收敛。但从目前供应商努力限制供应和支撑价格来看，整体价格的涨价趋势将保持稳定。
图表 4：DRAM主要产品价格趋势（$）
NAND Flash现货价格稳中有涨，亦是从23Q4起涨。以256Gb 32Gx8 MLC为例，2023年以来现货价格于7月触底，为11.15美元，此后缓慢上涨，至2024年3月4日价格涨至11.48美元，保持小幅上涨。
图表 5：NAND Flash主要产品价格趋势（$）
3月上、中旬，NAND Flash整体现货价格动态优于DRAM现货。进入3月下旬，NAND Flash与DRAM皆受终端需求疲软影响，价格略有下降，属阶段性调整，总体NAND Flash与DRAM价格2024将会稳中有涨。根据WSTS预测，2024年存储芯片市场同比增长44.8%，恢复至2022年1300亿的市场规模。
