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NAND闪存现货价格小幅调涨

尽管终端市场需求持续低迷不振,存储芯片上游原厂铁了心要拉抬Flash价格,业界观察,近1个月来,NAND Flash现货价格持续小幅调升,8月涨幅约达5%,逐渐靠拢合约价。

国际存储大厂包括三星、SK海力士、美光等持续减产,TrendForce预估,2024年各厂减产策略仍将持续;随着消费性电子产品需求回升,2024年DRAM、NAND Flash需求位元将年增13%及16%。

中国台湾存储芯片厂如南亚科、旺宏、华邦电、群联、威刚、宜鼎等,有望同步受益。

业界人士指出,存储芯片第三季合约谈判已完成,DDR4合约价季减低个位数,DDR5合约价季增低个位数,而龙头厂之间无显著价差。

主要是龙头厂的1Ynm以上制程持续处现金流出下,各大厂减产幅度扩大,力守报价,以期营运止血,且积极去化库存下,库存水位自6月底的12~14周,进一步去化至9月底的10~12周。

展望第四季报价,业界人士预估,DRAM合约价将上涨5%,带动现货价上涨,且涨势将延续至2024年。

NAND部分,因三星先前下令暂停低价报价,国内模组厂也配合三星调涨报价,主流产品512Gb现货价在8月下旬,已从1.48美元,调升至1.62美元~1.65美元,涨幅约10%,其他大厂纷纷跟进,导致8月份NAND现货市场价格小幅上涨。

据CFM闪存市场报价显示,8月以来Flash Wafer价格持续回升,其中Flash Wafer 1Tb TLC在8月涨幅9.2%,Flash Wafer 512Gb TLC在8月涨幅9.1%,涨价已经开始由上游资源逐渐向下游成品传导。

业界人士预期,存储芯片厂库存在2024年第一季,将降至8周以下水准,大厂涨价态度于2023年下半年逐步转趋明确,预估DRAM及NAND合约价于2024年上半年,全面进入上升周期。

据TrendForce预估,2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗,加上通用型服务器的资本支出,仍受到AI服务器排挤,而显得相对需求疲弱。

但有鉴于2023年基期已低,加上部分存储芯片产品价格已来到相对低点,预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13%及16%。

尽管需求位元有回升,2024年若要有效去化库存,并回到供需平衡状态,重点还是依赖供应商对于产能有所节制,若供应商产能控制得宜,存储芯片均价将有机会反弹。

    Stay tuned

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