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一周“芯闻”丨被动元件库存调整H1将结束;NAND Flash厂晶圆投片量提升保守;三星扩大外购DDR3和NOR Flash

2024年04月22日,得朋电子(DEPEND)为您播报半导体市场“一周芯闻”。被动元件库存调整或将今年上半年结束;AI相关HPC产品仍是唯一增长动能;NAND Flash厂晶圆投片量提升保守;三星扩大外购DDR3和NOR Flash……

1. 被动元件库存调整或将今年上半年结束

    4月18日,被动元件龙头国巨公布2024年第一季财报及后市展望。

    国巨CEO王淡如表示,个人电脑、智能手机、消费电子等应用有复苏迹象,AI市况需求强劲,国巨具备完整产品线,也已准备好迎接强劲市况。

    国巨特别强调,现阶段整体市场供需、全球通胀及国际局势等大环境的不确定性因素仍高,但预估客户端的库存调整将于上半年结束,第二季将会呈现低个位数的成长幅度。

    2. AI相关HPC产品仍是唯一增长动能

      今年半导体、晶圆代工、车用市场恐不如预期,仅AI独领风骚。

      4月18日,台积电(TSMC)举办线上业绩说明会,首席执行官魏哲家下调半导体、晶圆代工及车用市场三大领域展望,震撼市场。

      针对各项应用市况,魏哲家指出,高效能运算(HPC)与AI应用仍然强劲、手机稳健成长、PC复苏较慢、物联网(IoT)和消费性应用仍在调整,车用市场也在去库存。

      3. NAND Flash厂晶圆投片量提升保守

        三星电子本季在韩国平泽和我国西安NAND Flash快闪存储芯片生产线的晶圆投片量,相较上一季将提升约30%。不过,三星方面对进一步的增产仍然持谨慎态度,以免影响到NAND Flash的价格涨势。

        报导指出,虽然三星在产能全开的情况下,NAND Flash快闪存储芯片的生产线单季晶圆投片量可超过200万片,但是,目前三星内部对第二到四季的单季晶圆投片量均设下了120万片的天花板,这代表着整体产能利用率只维持在50%左右。

        市场预计,三星电子将在本月底的第一季财报电话会议上重申针对NAND Flash快闪存储芯片进行减产的立场。而在上次财报会议上,三星电子已经表示,主要客户仍存在NAND Flash库存水位仍高的问题,因此,延续高强度减产态势仍然有必要。

        4. 三星扩大外购DDR3和NOR Flash

          三星电子(Samsung Electronics)联席CEO庆桂显日前率领高层主管奔赴中国台湾,在短短两天一夜行程内,密集拜访了多家供应链厂商,传出首要任务是推广自家高带宽内存HBM并扩大外购成熟或利基型DDR3和NOR Flash。

          据悉,三星为冲刺高带宽内存市占,规划集团今年高带宽内存产能要比去年大增近三倍,并于今年上半开始大量生产12层的第五代高带宽内存,以及使用32Gb颗粒的128GB DDR5 DRAM。

          对于相对成熟的DDR4及DDR3等DRAM则选择维持在减产前的产能,甚至逐步淡出DDR3市场,扩大外购策略,有利于存储芯片产业的健康态势延续。

          5. SK海力士与台积电携手开发HBM4芯片

            4月19日,全球第二大存储芯片制造商韩国SK海力士(SK Hynix)表示,将与中国台湾半导体巨擘台积电合作生产用于AI技术的下一代高带宽内存HBM芯片。

            SK海力士声称,将透过这项计划开发HBM4,即第6代HBM系列,预计从2026年开始量产。

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