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NAND闪存现货价格持续上涨

据业内人士称,NAND闪存的现货价格继续上涨,而DRAM的定价趋势不太稳定。

资料来源:Digitimes

随着终端传统备货旺季进入尾声,内存11月现货价格的涨幅明显趋缓,但第4季上游NAND原厂释出产能持续减少,内存模组厂想逢低敲定大单却无法如愿。

尽管短期渠道市场出现库存积压的现象,NAND Flash Wafer涨势不减反增,主流512Gb现货价单月调涨约2成,站上2.6美元,持续朝向原厂损益平衡点关卡迈进。

随着市场行情先行指标的现货市场从第3季启动涨势,内存合约价第4季相继跟进调涨,除了移动内存受益于手机品牌厂年底回补库存,合约价季增约15~20%,随着PC与服务器平台进入更新迭代,DDR5渗透率日益提升,带动DDR5价格上涨双位数幅度、DDR4及DDR3的涨幅也优于原先预估的中个位数表现。

不过现货价部分,经过第3季逐月回暖调涨,下游渠道及内存模组厂在年底旺季接单分别在9~10月完成出货,市场预期内存价格看涨的期待心理,带动短期的库存回补需求大致告一段落,11月现货价涨幅已明显转趋疲弱。

受到国内消费降级的市场氛围,双十一等年度促销及零售市场买气均不如预期,欧美市场对于黑色星期五及圣诞备货需求也陆续出货近尾声,不过实质需求导致去库存化缓慢,导致终端渠道库存提高,尤其DRAM价格处于震荡调整期,有待2024年需求复苏迹象显现。

整体来看,大容量DRAM颗粒产品的涨幅较大,DDR4 16Gb(2Gx8)近月来平均涨幅约3.25%,DDR4 8Gb处于0.25~1.8%之间微幅调涨,尽管上游原厂已积极调降DDR4供给产出,但二手旧货市场仍有不少DDR4颗粒使用,整体DDR4市场库存也较高,拖累DDR4价格调涨不易,至于DDR3价格不涨反跌,库存调整持续进行中。

NAND Wafer价格持续受到上游原厂供应减产的影响驱动,内存模组业者透露,目前原厂对第4季Flash供应的态度就是拖延战术,原先曾在9月试图敲定数百万颗订单,但原厂迟迟不愿放货,就算愿意给货,数量及价格都无法达到满意的目标,虽然终端市场需求已进入淡季,但Flash现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态,加速Flash Wafer各产品全面调涨。

以现货市场来看,512Gb TLCC价格从半年前约1.4美元一路爬坡向上,目前11月底价格已达到2.6~2.7美元,原本价格一度跌破材料成本,如今正朝着原厂损益平衡的首要目标持续狂涨,根据业界估算,512Gb Flash价格要回到3.2~3.5美元,原厂才有望回到损益平衡点,短期内估计价格难再回头,但终端SSD价格仍难跟进上涨,导致进货价高于卖价的状况持续存在。

根据估计,各家原厂的减产效益在下半年陆续显现,亏损及库存正逐季缩小,不过各家合计亏损金额仍高达60亿美元,虽比第2季亏损80亿美元的幅度收敛,但NAND原厂将持续推动减产策略延续至2024年。

资料来源:WSTS

值得一提的是,根据WSTS 29日发布的最新半导体市场预测数据显示,明年半导体市场增长主要由内存市场推动,预计在2024年内存芯片市场规模有望飙升至1300亿美元,同比增长40%以上。

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