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一周“芯闻”丨HBM价格看涨;鸿海墨西哥扩产;中国大陆和韩国芯片出口均有所增长…

2024年10月21日,得朋电子(DEPEND)为您播报半导体市场“一周芯闻”。本周半导体市场呈现多元化发展,HBM价格看涨,中国大陆芯片出口增长,韩国存储芯片出口激增,各大厂商积极布局未来技术。

1. 四季度HBM价格看涨,DRAM价格停滞

TrendForce于10月15日的报告预测,2024年第四季度高带宽内存(HBM)价格将上涨,而普通DRAM价格可能仅微增0%至5%。HBM市场份额的增长预计将拉动DRAM均价上涨8%至13%。

第三季度,普通DRAM价格已上涨8%至13%。然而,受经济衰退影响,消费者需求减弱,加之中国制造商供应增加,预计四季度市场将陷入停滞。尽管制造商正在增加HBM产量,导致DRAM总供应略有下降,但这并不足以弥补需求的减缓。

2. 2024年中国大陆芯片出口预增11.4%,达950亿美元

10月17日的报道指出,得益于智能手机需求回升、生成式AI基础设施的发展以及汽车行业的扩张,中国大陆集成电路(IC)贸易在2024年有望实现增长。报告预测,2023年中国大陆IC进出口额将分别增长5.2%和11.4%。不过,芯片贸易逆差预计扩大3%,达到2,383.5亿美元。

预计2024年IC进口额将接近3200亿美元,台湾地区、韩国和马来西亚为主要供应商。台湾在晶圆制造和封装领域占优,韩国在存储芯片市场领先,马来西亚则是封装和测试的重要基地。自2019年美国对中国大陆发起半导体贸易战以来,美国IC进口份额持续下降,2023年将降至3%以下。

3. 南亚科技四季度将调整15%产能至DDR5

南亚科技计划从2024年第四季度起,将15%的产能转向DDR5生产,以优化产品结构。这一调整将从12月开始影响DDR5的产量,逐步替代部分DDR3和DDR4的生产。目前,南亚科技的10纳米第二代(1B)技术已支持量产8Gb DDR4和16Gb DDR5,预计2025年将推出LPDDR4和LPDDR5产品。虽然DDR5的初期生产成本较高,但预计随着良率提升,其成本效益将在2025年第一季度中期超过20nm DDR4。

4. 村田制作所在法国增设硅电容器生产线

村田制作所于10月14日宣布,在其法国卡昂工厂开设了一条新的硅电容器生产线,以扩大其集成无源解决方案的产品范围。继2023年首次公布后,村田履行承诺,建立了一条新的200毫米量产生产线,旨在增强其硅电容器制造能力。自2016年收购初创公司IPDiA以来,卡昂工厂一直由村田运营,该工厂是一座创新的灯塔,拥有250多名敬业的员工,他们致力于支持洁净室、生产线和所有其他关键业务职能。村田制作所代表董事社长中岛规巨表示,新生产线的启动标志着公司在该领域发展中迈出的重要一步,并展现了重新投资欧洲电子行业的决心。

5.Wolfspeed获7.5亿美元芯片法案补贴,总资金达25亿美元

2024年10月15日,美国半导体制造商Wolfspeed宣布与美国商务部签署了初步条款备忘录,根据《芯片和科学法案》,Wolfspeed将获得高达7.5亿美元的直接资金支持,用于在北卡罗来纳州建设新的碳化硅(SiC)晶圆制造工厂。

Wolfspeed还预计将从先进制造业税收抵免中获得约10亿美元的现金退税,使得总资金支持达到25亿美元。这笔资金将用于支持公司的长期增长战略,并扩大其碳化硅制造能力,以满足电动汽车、人工智能数据中心和电池存储等清洁能源系统的需求。

6. 鸿海在墨西哥扩大生产,布局服务器市场

10月17日,据路透社报道,墨西哥经济部副部长宣布,通用汽车和鸿海计划将进口产品转为在墨西哥本土生产。这一举措有助于鸿海应对地缘政治变化,增强当地制造能力,确保后续订单更稳定。

鸿海在墨西哥的布局不断加大,8月下旬已通过子公司投资2.41亿美元,取得当地公司股权。鸿海还有意在墨西哥建立全球最大的NVIDIA GB200 AI服务器工厂,以抢占主权服务器市场。鸿海董事长刘扬伟表示,该工厂产能将非常巨大。

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