2024年12月09日，得朋电子（DEPEND）为您播报半导体市场“一周芯闻”。DRAM市场营收大幅增长，NAND厂商面临价格下跌减产，全球晶圆代工市场台积电、三星、中芯国际稳居前三，惠普企业AI服务器需求强劲。
1. 第三季全球DRAM市场营收增长13.6%至260亿美元
TrendForce研究显示，2024年第三季度全球DRAM市场营收增至260亿美元，环比增长13.6%，主要得益于数据中心对DRAM和HBM产品需求的增长。尽管中国智能手机品牌库存减少和国内供应商产能扩大导致LPDDR4和DDR4出货量下降，但ASP仍呈上升趋势，合同价格环比上涨8%至13%，主要受HBM生产转移影响。
预计第四季度DRAM出货量将增加，但价格涨幅可能因HBM产量限制而低于预期。中国供应商产能增加可能促使PC OEM和智能手机品牌减少库存，影响传统DRAM合同价格及DRAM与HBM的混合定价趋势。
2. 2024 年价格下跌 NAND 制造商将减产
SemiMedia 12月5日报道称，日本Kioxia计划从下月开始减少NAND产量，韩国三星电子也准备缩减产量以稳定价格。此前，SK海力士、美光和Kioxia因需求减弱而从2022年下半年至2023年初有选择性减产。三星于2023年4月加入减产行列。减产有助于降低库存水平并稳定价格，内存制造商通常目标库存周转期为10至12周。
3. Vishay 投资 5100 万英镑升级 NWF 晶圆厂
12月2日报道，Vishay Intertechnology宣布将向威尔士纽波特晶圆厂（NWF）投资5100万英镑，该晶圆厂是英国政府从Nexperia手中收购的。投资得到威尔士政府500万英镑支持，目的是建设新的功率器件生产线，并过渡到碳化硅（SiC）功率器件。此前，NWF在Nexperia运营下拥有一条小型氮化镓（GaN）器件代工线。
4. SK海力士计划2025年推出16层HBM3E
日经新闻12月3日报道，SK海力士正在开发全球首款16层、48GB HBM3E产品，预计2025年上半年发货。公司已于2024年9月底开始量产12层、36GB HBM3E产品，而16层产品在AI学习性能和推理性能上比12层产品高出18%，预计将带来32%的性能提升。
5. 台积电、三星、中芯国际领跑2024年全球晶圆代工排名
12月4日，Counterpoint Research报告显示，2024年第三季度全球晶圆代工排名中，台积电、三星、中芯国际位列前三，行业收入同比增长27%，环比增长11%，主要受人工智能需求和中国市场复苏推动。台积电以64%的收入份额保持领先，其N3和N5节点推动高利用率。三星以12%市场份额位居第二，正推进2nm GAA工艺，目标2025年量产。
中芯国际受益于消费电子和物联网需求复苏，华虹则凭借本土化战略巩固市场地位。联电和GlobalFoundries分别排名第四和第五。人工智能需求推动先进节点增长，同时中国企业在本地化政策下有望扩大全球市场份额，而成熟节点竞争加剧可能挑战行业盈利能力。
6. 惠普企业季度业绩超预期，AI服务器需求强劲
路透社12月5日 - 惠普企业（HPE）第四季度营收和利润超出华尔街预期，主要得益于人工智能服务器的强劲需求。企业对支持和处理AI模型训练数据的硬件投资增加，推动了配备Nvidia处理器的HPE服务器的市场需求。尽管智能边缘业务表现不佳，收入下降20%至11.2亿美元，但该业务有所改善。HPE年初完成了对网络设备制造商瞻博网络的收购，以增强其在竞争激烈的网络市场的份额。